存储三强路线分家，这场4F²大战，远没有结束

4F²,最近存储圈最炸的技术话题,一场路线分裂大戏已经拉开帷幕。

10月21日,美光总裁兼CTO斯科特・德博尔接受《日经亚洲》采访,一句话直接搅动整个行业:4F²,不在我们的路线图上。要知道,这项技术美光研究、评估了足足20多年,如今却选择继续深耕6F²,跳过这一环,直接冲刺3D DRAM。

这个表态非常有意思。就在短短两周前,三星、SK海力士、长鑫,这三家全球存储巨头,全部站在了完全相反的一边。

时间拨回10月9日,上海,第四届集成芯片和芯粒大会。长鑫存储总裁曹堪宇正式对外披露自研的4F²架构,以及配套的垂直环绕栅(VSG)晶体管进展,计划今年年底就推出搭载4F²架构的服务器DDR5 RDIMM产品。

这可是行业期待多年的结构性革新,消息一出,海外媒体集体刷屏。彭博直接点评,长鑫这项内存技术已经走到三星、海力士前面;南华早报把这轮进展定调为“关键技术进展”;Counterpoint更直言这是“重要里程碑”;晨星分析师说得更直白——4F²若更早落地,将大幅改善长鑫的竞争地位。一家中国企业,把全球巨头研究了多年的技术率先推向商用,这在存储史上相当少见。

紧随其后,首尔SEDEX 2026半导体展。三星电子DS部门CTO宋在爀被记者追问是否也在开发4F²,回答干脆利落:“是的。”再问进展,“正在努力推进。”SK海力士这边节奏更早,去年就由CTO亲自发布了4F²垂直栅平台路线图,据高盛援引当地媒体的报道,今年7月已经通过了测试阵列的读写功能验证。三家都在做,而且明显在加速,于是媒体带着问题,找到了美光。然后,就有了开头那句“不在路线图上”。很多人可能还没看懂,4F²到底厉害在哪?

补个课。DRAM的存储单元面积,业界习惯用F(特征尺寸)的倍数来标定。目前主流是6F²,而4F²,就是把单元形状从矩形改成2F×2F的正方形,理论上面积直接砍掉三分之一。在按面积算成本的存储行业,这是能改写成本结构的数字。三星在ISSCC 2026论文里报告过实测数据:相同设计规则下,每片晶圆的裸片产出提升20%以上。

更关键的是方向问题。学界和业界的共识路线是:6F²→4F²→3D DRAM。原因是6F²难以直接堆叠,必须先变成4F²结构,才能垂直堆起来,变成3D DRAM。三星的路线图写得明明白白:4F²连用三代,之后才转向3D DRAM。

当然,路线分歧在半导体行业不是新鲜事。当年NAND从平面转3D,各家节奏也差了好几年。美光想跳过一级台阶直接上楼,这是它的自由。但一家企业的商业选择,从来不等于这条路线没价值。况且,美光自己研究4F²也研究了20多年——研究了20年的东西说“不做”,和它“没价值”,完全是两码事。

再说说美光说这番话的时点,格外值得琢磨。

美光股价6月25日创下1213.56美元的历史收盘高点后,一路回落。到10月16日收于878.84美元,较高点回撤约25%–28%。吊诡的是,同期美光的基本面正处在历史最好水平——最新财季营收542.3亿美元,毛利率约87%。

生意这么好,股价为什么跌?多家市场分析机构给出的解释之一:中国厂商在服务器DRAM领域的进展,重新引发了市场对定价与竞争格局的担忧。时间点,就在长鑫官宣之后。换句话说,资本市场已经用脚投票,把4F²竞争当成了估值逻辑里的核心变量。

历史总是惊人地相似。2020—2021年,三星、SK海力士先后宣布在DRAM制造导入EUV光刻。当时美光的公开口径是:没有采用EUV的计划,现有多重图形曝光效果一样、成本更优。结果呢?同一时期,美光悄悄上修资本支出至95亿美元,其中一部分正是向ASML订购EUV的预付款。2024年,美光在广岛工厂启动EUV试产,2025年量产——三大原厂里最晚,但终究还是用了。嘴上说不要,预付款倒是付得挺快。

所以,这次“不做4F²”的表态,可以说它是深思熟虑的路线判断,也可以在心里打个问号。毕竟在存储这个技术迭代极快、容错率极低的赛道上,谁都赌不起一步走错。当年对EUV的口径,和后来悄悄跟进的事实,就是最好的前车之鉴。

技术的对错,从来不是高管一句话能定调的,最终要交给良率、成本和稳定量产来裁决。这场4F²大战,才刚刚开始。