外媒热议长鑫G5量产：中国存储开始挑战国际大厂

9月20日举办的世界制造业大会上,长鑫科技正式官宣,自研第五代DRAM技术平台G5顺利进入量产阶段。消息一经公布,迅速在海外半导体行业掀起讨论,多家外媒都把这次量产,看作国内存储产业发展进程里极具分量的标志性事件。

工艺直追全球顶尖,长鑫新品硬实力引海外关注

根据长鑫对外披露的技术参数,研发团队利用四重曝光工艺,将内存阵列有源区半间距压缩至11.95纳米,工艺水平已经逼近当下全球最先进的量产DRAM平台。这套新平台打造的LPDDR5X芯片,单颗容量达到24Gb,对比上一代产品容量提升一半,不管是能效表现还是成本管控,都拥有亮眼优势,产品可以适配中高端手机、便携消费电子等多种终端场景。

海外媒体和行业机构普遍认为,G5平台落地之后,长鑫拥有了和国际存储大厂正面比拼的底气,全球存储行业的竞争格局,很可能迎来新的变化。路透社在报道中评价,随着G5量产落地,中国诞生了能参与全球角逐的存储芯片企业,长期由海外厂商把持的高端DRAM市场局面被打破。韩国媒体也分析指出,长鑫这次突破的价值不只是一款新产品问世,更代表国产存储已经可以依靠规模化生产、成本优势和本土完整供应链,参与全球市场份额争夺战。

打破海外预判,封锁环境下走出国产存储自研道路

长久以来,海外供应链壁垒、先进设备出口限制,给国内高端存储研发制造带来巨大阻碍。此前不少海外行业机构都持悲观判断,认为脱离海外核心设备与技术支持,国内企业很难持续推进DRAM工艺微缩,高端存储研发会陷入停滞。

而长鑫G5平台,一次性落地先进节点微缩、四重曝光、HKMG等多项核心技术,实实在在证明,即便在外部限制的产业环境中,国产高端存储制造路线也能走通,推翻了海外行业过去固化的技术观点,被外媒视作半导体受限环境下工艺突破的典型案例。路透社特别提到,长鑫取得这项技术进展,正是在美国自2022年出台芯片设备出口管制政策的大背景下完成。

韩国《首尔经济日报》专门刊发评论文章,认为长鑫摸索出一套差异化、自主可控的先进工艺研发思路,打破了“中国无法持续迭代高端DRAM”的固有偏见,展现国内半导体企业强大的研发韧性与创新能力。

行业观点预测,后续随着G5平台产能持续释放,高端存储产品逐步推向市场,长鑫在全球存储市场的占有率有望稳步提升,中国存储产业,也会在全球半导体产业中掌握更多话语权。